원자층 증착 장비
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
원자층 증착 장비
ename_en:
Atomic Layer Deposition (ALD)
emodel:
Lucida D100
institution:
사범대학
location:
관악 사범대학 (13동 414호)
epname:
안치환
tel:
010-6254-1160
email:
anhwan0918@snu.ac.kr
link:
https://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0044617
keyword:
본 Lucida D100 ALD (Atomic Layer Deposition) 장비는 Precursor를 이용하여 오존과의 반응을 통해서 산화물 박막을 제작하는데 용이한 장비이다. 기판 히터를 통해서 thermal heating이 가능하며 웨이퍼 스케일의 Si 기판이나 다양한 기판들에 증착 가능하며 우수한 step coverage를 가지고 있어 단순 capacitor 부터 transitor 및 다양한 소자를 제작 및 연구하는데 용이한 장비이다.
1) Precursor : HfO2, ZrO2
2) 증착 온도 : 280도 이하, 200도 이상
3) traveling wave type ALD
4) Base pressure : 2.4 x 10-2 torr
5) single 웨이퍼 공정 : 4인치 Si 가능
code:
edu_003