식각기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
식각기
ename_en:
OXFORD ICP-Etcher
emodel:
PLASMA PRO 100 COBRA
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 1층 Fab C2-5)
epname:
심진용
tel:
880-8642
email:
sim2008@snu.ac.kr
link:
https://isrc.snu.ac.kr/new/contents/menu4/equip_data.php?seq=83%22
keyword:
장비 설명
- ICP 방식을 이용한 ETCH(AI, Au 가능)
공정 범위
- MEMS 6inch, 4inch, 조각 Etch가능. Si wafer만 사용 가능.
- 조각 Etch시 4inch Wafer에 붙여서 공정 진행. (의뢰 시 의뢰자가 직접 dummy에 붙여서 의뢰)
- Over etch 10~20% 이상 권장 .
- Etch target (Metal, 전이금속,+3,5족 화합물) : Au, Al
- 6inch공정 진행시 사전 담당 선생님과 일정 조율 후 공정 진행.
- ISRC 표준 레시피 이외(Al ,Au)로 chiller온도도 변화 가능.
(단, chiller 기준 온도는 60도이며, 5도로 사용했을 경우에는 클리닝 레시피를 5도에서 1회, 60도로 올려서 1회, 총 2회 실시)
- Cleaning은 공정 후 wafer 나온 것 확인 후 퇴실.
- CMOS 전용 장비에서 증착된 SiO2 및 Poly Si만 가능.
- SiO2 또는 Poly Si 이외의 다른 박막은 공정불가.
- 공정 전 Metal 공정이 있을 경우 공정불가.
code:
ICP11