원자층박막증착기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
원자층박막증착기
ename_en:
Nano ALD System
CMOS ALD I
emodel:
NANO AL-CVD SYSTEM
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 1층 Fab C1-7)
epname:
이희나
tel:
880-5455
email:
heenaheena@snu.ac.kr
link:
https://isrc.snu.ac.kr/new/contents/menu4/equip_data.php?seq=86%22
keyword:
장비 설명
- ALD 방식을 이용한 high-k 유전 박막 증착(Al2O3, HfO2, SiO2 가능)
공정 범위
- 사용가능 기판
· 재질 / 크기 : Silicon / 6“ 전용
· 두께 : 300㎛ ~ 1㎜
- 공정 보증 범위
· 공정 특성(Al2O3, HfO2 박막 공통) :
· Growth rate : ≒ 1.0Å/cycle
· Uniformity : 6인치 기판 ≤ 5%
· 전기적 특성 : 연구소 홈페이지 자료실의 기술보고서 참조
- 공정 진행 전 반드시 SPM cleaning을 진행하여야 함.
- 최대 공정 가능 cycle : 100cycles
- 직접사용자는 공정을 진행하기 전에 이전에 증착된 박막과 다른 박막을 증착할 경우에 장비 담당자에게 N2 purge를 요청할 것.
예) Al2O3 증착 후 HfO2을 증착하려고 하는 경우, 공정 전 N2 purge를 하지 않으면 uniformity 및 특성에 영향을 미침.
- PDA(Post Deposition Annealing) 공정은 RTP chamber의 hardware 범위 내에서 조건 설정하여 수행 가능.
code:
ALD01