플라즈마강화원자층증착기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
플라즈마강화원자층증착기
ename_en:
ALD Cluster System
MEMS ALD
emodel:
PE ALD System(MEMS)
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 1층 Fab C5-1)
epname:
장래혁
tel:
880-5455
email:
lhjang@snu.ac.kr
link:
https://isrc.snu.ac.kr/new/contents/menu4/equip_data.php?seq=84%22
keyword:
장비 설명
- Ozone을 이용한 ALD로 dielectric film 증착 가능
공정 범위
- 증착 가능 물질
① HfO2
〮 Cycle 진행 순서 : Pre -> TEMAHF -> Purge -> Ozone -> Purge
〮 Purge Gas : N2
〮 Chuck Temp : 360℃
〮 Dep.rate : 1.0Å/cycle
〮 최대 증착 두께 : 100A
② Al2O3
〮 Cycle 진행 순서 : Pre -> TMA -> Purge -> Ozone -> Purge
〮 Purge Gas : N2
〮 Chuck Temp : 450℃
〮 Dep.rate : 0.91Å/cycle
〮 최대 증착 두께 : 100A
③ SiO2
〮 의뢰 공정 진행불가 / User 획득 후 직접 진행 가능
- 조각 시편 공정은 ISRC에서 Cleaning진행 불가능하며 반드시 사전에 Cleaning 진행 후 밀폐하여 의뢰 요망.
- 장비는 Chuck Temp 외 다른 Parts의 Temp는 변경하여 사용할 수 없음.
- Silicon을 제외한 다른 재질의 기판으로 의뢰 시 결과를 보증할 수 없음.
- ISRC 표준 Recipe 이외 조건으로 변경 의뢰 시 결과를 보증할 수 없음.
code:
ALD03