진공증착기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
진공증착기
ename_en:
HDPCVD II
emodel:
Plasma-Therm, Apex SLR HDP-CVD
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 1층 Fab C1-4)
epname:
정숙진
tel:
880-5260
email:
infinity07@snu.ac.kr
link:
http://isrc.snu.ac.kr/data/cheditor4/1601/4VoHrLhi2lkipfibWKNCTu2.jpg
keyword:
장비 설명
- 실리콘 산화물 증착 공정 및 STI (Shallow Trench Isolation) gap-fill process
공정 범위
- 사전 Metal 공정이 진행된 Wafer 투입 불가.
- 공정진행 전 반드시 웨이퍼 크리닝을 진행하여야 함.
- STI 성능 : Gap-fill 최적화된 사이즈는 widh 0.6㎛, depth 1.2㎛ (Aspect ratio 1:2)임.
[이 외의 사이즈 패턴에서는 Gap-fill 보증되지 않음 : 테스트 후 진행]
- 증착 두께의 보증 범위 : 1000Å ~ 1.5㎛ [단, 이외의 박막두께는 담당자 협의 후 진행]
code:
HDP02