원자층증착기

장비 설명 - ALD 방식을 이용한 high-k 유전 박막 및 급속 박막 증착 (Al2O3, Hfo2, TiN 가능) - RTP와 remote plasma를 이용한 PDA(Post Deposition Annealing) 및 표면처리 공정 범위 - 공정 특성 ① ALD(PM1,2) 〮 Growth rate 〮 PM1 : TiN – 기존 Thermal 방식에서 HCP 방식의 PEALD로 변경 셋업중 〮 PM2 : Al2O3 ≒ 1.1Å/cycle, HfO2 ≒ 1.3Å/cycle , ZrO2 ≒ 1.3Å/cycle @10nm 〮 Uniformity : 6인치 기판 ≤ 5% ② RTP(PM3) 〮 Temperature :300℃ ~ 1,000℃ 〮 Remote plasma(PM3) 〮 NH3 capacity : max 9slm, Freq : 400kHz, Power capacity : 10kW - Bare Si wafer상태의 경우 공정 전 SPM필수. (소자는 유저 판단하에 진행) - 공정 최대 두께 : 20nm까지 공정 - PM2-> PM1 공정 가능, Wafer edge/ back side 오염 없으면(=clamp type으로 공정진행된) W, TiN, Mo 에 한하여 공정 가능공정 진행. - PM1->PM2 공정 불가. (TiN이 wafer의 edge/back side에 증착되므로 PM2 챔버 오염 야기시킴.) - 공정 후 Metal로 취급하므로 후속 공정 시 공정투입가능여부 확인 필수. - RTP 단독으로 공정 불가. 공정 범위 - 공정에 대한 전반 사항에 대하여 장비 담당자와 사전 협의 필수. - 사용 재료마다의 정해진 조건이 없기 때문에 공정 결과에 대하여 Guarantee 불가함. - 사용되는 재료 중 Ink는 사용자 직접 준비. - Nozzle과 Loader는 행정실에 구매 가능.