유도 결합형 플라즈마를 이용한 다결정 규소식각기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
유도 결합형 플라즈마를 이용한
다결정 규소식각기
ename_en:
CMOS ICP etcher II
poly Si & c-Si
emodel:
NeoGEN-MAXIS200L
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 1층 Fab C1-3)
epname:
박태영
tel:
880-8825
email:
alexpark@snu.ac.kr
link:
http://isrc.snu.ac.kr/data/cheditor4/1707/GlaUc5nduo2K1BV.jpg
keyword:
장비 설명
- C-Si, Poly Si Etch
공정 범위
- CMOS 전용 장비 이외에서 진행된 Si는 투입 불가함.
- Poly Si 또는 Bare Si 이외의 다른 박막은 공정불가.
- 공정 전 Metal이 드러나 있거나 공정 후 Metal이 드러나게 되는 경우 투입 불가함.
- Etch 두께의 Guarantee 범위 : 500Å~1um
[단, 이외의 박막두께 진행 시 장비담당자와 협의 후 진행하여야 함.]
code:
ICP02