MEMS/양자정보처리유도 결합형 플라즈마를 이용한 절연막 식각기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
MEMS/양자정보처리유도 결합형
플라즈마를 이용한 절연막 식각기
ename_en:
MEMS ICP DIELECTRIC Etcher
emodel:
NEOS-MAXIS 200L
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 1층 Fab C2-1)
epname:
박태영
tel:
880-8825
email:
alexpark@snu.ac.kr
link:
http://isrc.snu.ac.kr/images/equipment/DielectricICPEtcher(뉴)_5.jpg
keyword:
장비 설명
- SiO2, SiN Etch
공정 범위
- 허가된 Dielectric 박막만 공정 가능.
- Main 4inch, 조각 Etch 가능.
- Metal 위에 SiO2, Si3N4 depo된 공정은 가능하나, Metal이 완전히 드러난 wafer는 불가능.
code:
ICP08