범용 금속 원자층 증착 장비, 로드락이 합쳐진 클러스터장비 (ALD2챔버+Buffer 챔버 Load lock)ALD Cluster SYSTEM

ename_ko: 
범용 금속 원자층 증착 장비, 로드락이 합쳐진 클러스터장비 (ALD2챔버+Buffer 챔버 Load lock)ALD Cluster SYSTEM
ename_en: 
MEMS ALD2 ALD Cluster System
emodel: 
2CH PLASMA ENHANCED ALD SYSTEM
institution: 
반도체공동연구소
location: 
반도체공동연구소 (104동 1층 Fab C4-1)
epname: 
장래혁
tel: 
880-5455
email: 
lhjang@snu.ac.kr
keyword: 
장비 설명 - Ozone 및 Plasma를 이용한 Oxide 박막 및 Nitride(Metal) 박막을 증착 가능 공정 범위 - 증착가능 Precursor ① Oxide 박막 〮 Precursor : TMA 〮 Material : Al203 〮 Max Cycle : 100 〮 Dep tate : 0.9Å/cycle 〮 Stage Temp : 430 ①-1 Oxide 박막 〮 Precursor : TDMAHf 〮 Material : Hf02 〮 Max Cycle : 100 〮 Dep tate : 1.3Å/cycle 〮 Stage Temp : 380 ② Nitride & Metal 박막 〮 Precursor : TMA 〮 Material : AlN 〮 Max Cycle : 100 〮 Dep tate : 1.3Å/cycle 〮 Stage Temp : 400 ②-1 Nitride & Metal 박막 〮 Precursor : TDMATi 〮 Material : TiN 〮 Max Cycle : 100 〮 Dep tate : 1.0Å/cycle 〮 Stage Temp : 400 - 조각 시편 공정은 ISRC에서 Cleaning진행 불가능하며 반드시 사전에 Cleaning 진행 후 밀폐하여 의뢰 요망. - 장비는 Chuck Temp 외 다른 Parts의 Temp는 변경하여 사용할 수 없음. - Silicon을 제외한 다른 재질의 기판으로 의뢰 시 결과를 보증할 수 없음. - ISRC 표준 Recipe 이외 조건으로 변경 의뢰 시 결과를 보증할 수 없음.
code: 
ALD04

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