CMOS 유도결합형 플라즈마를 이용한 절연막 식각기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
CMOS 유도결합형 플라즈마를
이용한 절연막 식각기
ename_en:
CMOS ICP dry Etcher-SiO2*SiN)
CMOS ICP SIO/SIN ETCHER_Plasma therm
emodel:
APEX SLR ICP
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 1층 Fab C1-5)
epname:
박종승
tel:
880-8642
email:
pjs@snu.ac.kr
link:
https://isrc.snu.ac.kr/new/contents/menu4/equip_data.php?seq=110%22
keyword:
장비 설명
- Silicon oxide와 Silicon nitride 박막 etching
공정 범위
- 반도체공동연구소에서 규정한 CMOS SiO2, SiN 물질만 식각 가능.
- W-CVD, W-CMP setup 완료 이후에는 Front-end 용으로 전환 예정.
code:
ICP04