플라즈마 강화 원자층 증착기
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
플라즈마 강화 원자층 증착기
ename_en:
(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System)
CMOS ALD3호기(SiO2전용), cmos ald 4호기 (Si3N4전용)
emodel:
Premium system
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 2층 Fab)
epname:
이희나
tel:
880-5455
email:
heenaheena@snu.ac.kr
link:
https://isrc.snu.ac.kr/new/contents/menu4/equip_data.php?seq=116
https://isrc.snu.ac.kr/new/contents/menu4/equip_data.php?seq=117
keyword:
SiO2 증착 전용 ALD 장비
(BDIPADS, DIPAS)
Top lid : Shower head type
재질 / 크기 : Silicon / 6“ 전용 - 두께 : max 675㎛
1) ALD(PM)
Growth rate
PM : BDIPADS ≒ 1.12Å/cycle@10nm
DIPAS ≒ 1.22Å/cycle @10nm
Uniformity : 6인치 기판 ≤ 5%
2) RF : 27.12MHZ, 600W
3) 1회 공정 가능한 최대 웨이퍼 장수 : 1장
Bare Si wafer상태의 경우 공정 전 SPM필수 (소자는 유저 판단하에 진행)
공정 최대 두께 : 20nm까지 공정
후속 공정 시 공정투입가능여부 확인 필수
code:
ALD05