비정질산화물 반도체기반 ALD시스템
Submitted by rnd_admin on Tue, 10/22/2024 - 00:10
ename_ko:
비정질산화물 반도체기반 ALD시스템
ename_en:
(ALD System for Amorphous Oxide Semiconductor)
cmos ald 5호기 Al2O3
emodel:
classic system
institution:
반도체공동연구소
location:
반도체공동연구소
(104동 2층 Fab)
epname:
장래혁
이희나
tel:
880-5455
email:
lhjang@snu.ac.kr
heenaheena@snu.ac.kr
link:
https://isrc.snu.ac.kr/new/contents/menu4/equip_data.php?seq=118
keyword:
Al2O3 증착 전용 ALD 장비 (TMA)
Top lid : Traveling wave type
CMOS 공정을 위한 전용 장비
재질 / 크기 : Silicon / 6“ 전용 - 두께 : max 675㎛
공정 특성
1) ALD(PM)
- Growth rate
- PM : TMA ≒ 1.64Å/cycle@10nm
- Uniformity : 6인치 기판 ≤ 5%
2) 1회 공정 가능한 최대 웨이퍼 장수 : 1장
Bare Si wafer상태의 경우 공정 전 SPM필수 (소자는 유저 판단하에 진행)
공정 최대 두께 : 20nm까지 공정
후속 공정 시 공정투입가능여부 확인 필수
code:
ALD06