집속이온빔

ename_ko: 
집속이온빔
ename_en: 
FIB
emodel: 
Helios 5 UC
institution: 
신소재공동연구소
location: 
관악 신소재공동연구소 (37동 110호)
epname: 
황보은
tel: 
02-880-8027
email: 
eun0622@snu.ac.kr
keyword: 
<원리 및 기능> FIB는 가늘게 집속된 이온빔을 시료표면에 주사하여 발생한 전자와 이온을 검출하여 미세한 현미경 상을 관찰하거나 시료표면을 가공하는 장비이다. TEM 샘플을 만드는 용도로 가장 많이 사용되고 있으며, 나노 크기의 이미지를 관찰하고 조작 및 가공할 수 있다. FEI FIB장비에는 dual beam이 장착되었으며, 이온소스는 Ga을 사용한다. Depo가스로는 C, Pt, W를 사용한다. 추가적으로 장비내에 EDS가 있어 SEM 분석시 활용하고있다. Auto 프로그램을 이용하여 TEM Sample을 자동으로 가공할 수 있으며, SEM 단면분석시 필요한 Milling도 가능하다. <장비활용> (1) TEM Sampling (Lamella) (2) Cross Milling-SEM 분석, Depo (3) EDS 분석 <사양> 1. Electron optics 1) Accelerating voltage : 350V to 30kV 2) Beam Current : 0.8pA ~ 100nA 3) Magnification : 3 ~ x 1,280,000 2. Ion optics 1) Accelerating voltage : 500V to 30kV 2) Beam Current : 1pA to 100nA 3. Ion Source : Ga 4. GIS(Depo) : Pt, C, W
code: 
riam_FIB02

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