이온빔 주사전자현미경1

원리 전자빔을 활용하여 미세 구조물 시료의 표면을 관찰하는 고분해능 현미경으로 표면 형태, 구조 등 관찰 높은 가속전압을 가해 이온을 발생시키고 표면의 선택적 영역에 주사하여 시료를 가공 기기활용 높은 Ion beam 밀도로 빠른 속도의 FIB 시료 가공 가능 저 가속 전압 샘플 가공이 용이하여 고품질의 TEM 샘플 제작 가능 EDX detector 추가를 통하여 표면 원소성분 분포, 정성 및 정량 분석 가능 반도체, 디스플레이의 미세 구조, 패터닝 등의 분석에 활용 가능 사양 1) FIB/FE-SEM Resolution High resolution : 0.6nm at 30kV (STEM), 0.6nm at 15kV, 1.7nm at 1kV Coincident Point (WD 5mm) : 1.2nm at 1kV Acceleration voltage range : 0.02 ~ 30kV Probe current : 5pA to 20nA Magnification range : 12✕~2,000,000 Electron Source : Schottky field emitter Focus Working Distance : 1~40mm Beam Shift (at 20kV, WD=8.5mm) : 100㎛(±50㎛) 2) FIB column Ion Source : Gallium Liquid Ion Metal source FIB resolution : 2.5nm at 30kV Probe Current : 1pA to 100nA Magnification : 300✕~500,000 Acceleration Voltage : 0.5 ~ 30kV 3) Detector TLD : Efficient detection of SEs, Low take off angle BSEs MD : Medium take-off angle BSEs – better materials contrast ICD : High take-off angle, Low-loss BSEs - pure materials contrast 4) Software AutoTEM 5, AutoTEM 5 Automation Science, Enhanced Stage Rotation Accuracy, AutoSlice and View 4, AutoSlice and View Analytical Package, Maps 3 for SEM 5) EDS EDS-Quantax 400 XFlash 6-30mm2 – 129eV – Quantax 400 Q655-30-129