이온빔 주사전자현미경2

원리 Electron 및 Ion 의 두 개의 column으로 이루어진 Dual Beam system이 적용된 장비이며, Ga source를 활용한 집속 이온 빔의 식각 특성을 활용하여 Sub-Micro & Sub-Nano의 미세 영역을 가공 및 분석하는 장비 특정 영역의 가공 및 이미지 관찰이 용이하며 가공한 샘플을 chamber 내부에서 SEM을 활용 하여 직접적으로 imaging 분석 및 EDS를 활용한 성분분석, STEM을 활용한 결정구조분석. 기기활용 Sidewinder HT 이온 컬럼을 통한 고품질, 위치별 TEM 시료 제작 가능 높은 Ion beam 밀도로 빠른 속도의 FIB 시료 가공 가능 EDX detector 추가를 통하여 표면 원소성분 분포, 정성 및 정량 분석 가능 반도체 및 디스플레이 장치를 이미지화 및 특성 분석 사양 1) FIB/FE-SEM High resolution : 0.7 nm at 30 kV (STEM), 1.0 nm at 30 kV, 1.4 nm at 1 kV Acceleration voltage range : 0.02 ~ 30 kV Probe current : 1 pA to 400 nA Magnification range : 12~1,250,000× Electron source : Schottky field emitter Focus working distance : 1~40 mm 2) FIB column Ion source : Gallium Liquid Ion Metal source FIB resolution : 3.0 nm at 30 kV Probe current : 1.5 pA to 65 nA Magnification : 300~500,000× Acceleration voltage : 0.5 ~ 30 kV 3) Detector • Trinity Detection System - T1 : segmented lower in-lens detector (BSE) - T2 : upper in-lens detector (SE) - T3 : retractable in-column detector (SE) - Up to four simultaneously detected signals - Angular and energy-selective SE and BSE imaging • ETD : SE (tunable energy) / BSE • ICE : electron beam (SE / BSE), ion beam (SE / SI) 4) Software iSPI, intermittent SEM imaging and FIB patterning iRTM, integrated real time monitor for real-time SEM and FIB process monitoring and endpointing iFast, advanced utomation suite for DualBeam instruments 5) EDS Quantax 400 XFlash® 6 Active area: 60 mm² Energy resolution: 129 eV standard Input count rate: Over 1,500 kcps Output count rate: Up to 600 kcps