고성능 X-선 광전자 분광분석기

원리 X-선을 시료 표면에 조사하여 광전효과에 의해 방출된 내각전자의 운동에너지를 측정하여, 원소의 조성 및 화학 결합 상태에 대한 정보를 분석 기기활용 고분자, 유기물, 반도체 등 다양한 물질의 표면 및 계면 분석, 정량 분석, 전자구조 분석 1) XPS : 1,000~1,500 eV의 X-선을 이용하여, 코어레벨의 전자를 분석해 내각전자의 결합에너지, 화학결합상태, 상대 정량 분석 2) UPS : 10~20 eV의 자외선을 이용하여 밸런스 레벨의 전자를 분석해 최외각 전자에너지, 밴드갭 에너지, 일함수 분석 3) ARXPS : 각도 변환에 따른 광전자 분석을 통해 비파괴 수직적 화학 조성 및 분포 분석 4) Temperature dependence : +800℃~-100℃(액체질소) 범위에서의 XPS 분석 5) Depth profile : 이온건을 이용한 시료 에칭을 통해 깊이 분포에 따른 XPS 스펙트럼 측정 사양 1) Electron analyzer with lens system Type : spherical sector analyzer Minimum analysis area : 15 μm, 6,000 cps @ 0.6 eV FWHM Kinetic energy range : 0~1486 eV (Al), 0~2984 eV (Ag) Ultimate energy resolution of Ag 3d5/2 peak: ≤0.48 eV FWHM Detector : 128-channel DLD(Delay-Line Detector) with MCP(Micro-Channel Plate) Maximum sensitivity at 0.6 eV FWHM on Ag3d5: 2,500,000 cps 2) Micro-focused monochromated X-ray source Anode material : Al (Ag option) Rowland circle : 500 mm Automatic control : full data system control and adjustment Source : Al-Kα (1486.6 eV) Energy Resolution : Ag 3d5/2 3) Ultra violet light source Sensitivity : 1,000,000 cps for Ag 4d HeⅠ(21.2 eV) or He Ⅱ(40.8 eV) Energy resolution : 110 meV Minimum step size is 1 meV 4) Sputtering ion gun control Type : mono Ar and Ar cluster ion source Ultimate vacuum : 5 × 10-7 Torr Beam Energy : 500 eV ~ 4 keV 5) High precision manipulator (5-axis manipulator) Maximum specimen dimensions : 60 mm dia Mounting plates: multi-specimen:2, powder: 1 Sample tilt : +, - 45 degree 6) Vacuum transfer holder Sample holder allowing samples to be transferred under vacuum into the system Maximum specimen thickness : 9 mm Three transfer holders